IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位
IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位
IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位
IEEE Electron Devices Society Japan Chapter
Chair 鳥海 明
Vice Chair 最上 徹
2013 IRPS(IEEE International Reliability Physics Symposium)報告会を
以下の通り東京大学本郷キャンパスにて開催致しますのでお知らせ
致します。
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2013 IRPS(IEEE International Reliability Physics Symposium)報告会
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2013 IRPS報告会を開催致します。IEEE EDS Japan Chapterでは,日本からの
発表の中からいくつかを、講演者の方に日本語で再度ご講演して頂く国内報告
会の機会を設けました。皆様のご参加を頂きたくご案内申し上げます。
【日時】平成25年 7月25日(木) 13:00-18:10
【会場】東京大学(本郷キャンパス) 工学部4号館 205 セミナー室
工学部8号館 2F 88号講義室 （申込み多数につき，会場を変更しました）
(東京都文京区本郷7-3-1,最寄り駅:東京メトロ 東大前,根津,本郷三丁目)
会場地図は下記サイトをご参照下さい。
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_09_j.html
【参加申し込み】
資料準備の都合上,事前に参加申し込みをお願いしております。
参加者の御氏名,御所属,御連絡先,学生/社会人,IEEE EDS会員かどうか,
の区別を記して meeting@adam.t.u-tokyo.ac.jp までE-mailにて
お申込みをお願い致します。
【参加費 】
IEEE EDS 会員 及び 学生 : 無料
一般 : 1,000円
・プログラム (敬称略)
1. 13:00-13:05 「はじめに」
東京大学 鳥海 明 (EDS Japan Chapter Chair)
2. 13:05-13:35 「IRPS 2013 概要報告」
(株)東芝 佐藤基之
3. 13:35-14:05 「IRPS2013: Circuit Reliability, Circuit Aging
Simulationの総括」
京都工芸繊維大学 小林和淑
4. 14:05-14:35 「IRPS 2013 BEOL信頼性総括」
富士通セミコンダクター(株) 松山英也
5. 14:35-15:00 "Compact Reliability Model for Degradation of
Advanced p-MOSFETs Due to NBTI and Hot Carrier Effects in
the Circuit Simulation",
C. Ma, H. Mattausch, M. Miyake, T. Iizuka, K.
Matsuzawa, S. Yamaguchi,T. Hoshida, M. Imade, T. Arakawa, J. He, M.
Miura-Mattausch.
Hiroshima University, Semiconductor Technology
Academic Research Center,
PKU-HKUST Shenzhen-Hong Kong Institution
( 15:00-15:15 休憩 )
6. 15:15-15:40 「NBTIの回復現象」
(株)日立製作所 与名本欣樹
7. 15:40-16:05 「MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom
Telegraph Noiseの時定数解析」
1.東北大学大学院工学研究科、2.東北大学未来科学
技術共同研究センター
米澤 彰浩1, 寺本 章伸2, 小原俊樹1, 黒田理人1,
須川成利1,2, 大見忠弘2
8. 16:05-16:30 「球面収差補正STEMおよびアトムプローブを用いたHf
添加ゲート 絶縁膜のTDDB劣化メカニズム解明」
ルネサスエレクトロニクス(株) 工藤 修一, 廣瀬 幸範,
舟山 幸太, 大形 公士, 井上 真雄, 江口 剛治, 西田彰男, 朝山 匡一郎,
服部 信美, 小山 徹 中前 幸治
9. 16:30-16:55 「地上環境におけるバルクCMOSの寄生バイポーラ
効果がソフトエラーのトレンドに与える影響」
富士通セミコンダクター(株) 上村大樹、加藤貴志、
松山英也
10. 16:55-17:20 「40nm世代6T-SRAMにおけるパスゲートトランジスタ
への非対称電荷注入によるスタティックノイズマージン改善の解析」
中央大学 宮地幸祐、小林大介、宮野信治、竹内 健
11. 17:20-17:45 「MONOS型メモリに特有の界面準位生成/回復メカニズ
ムとその信頼性への影響」
(株)東芝 藤井章輔、佐久間究
12. 17:45-18:10 「書込みパルスダウンスロープを用いない高信頼超格
子相変化メモリ」
中央大学 上口 光、江上 徹、竹内 健
問合せ先:
IEEE EDS Japan Chapter, Secretary
東京大学 大学院工学系研究科
喜多浩之
TEL./FAX. 03-5841-7164
kita@scio.t.u-tokyo.ac.jp